Številka izdelka proizvajalca:
TPHR9203PL1,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPHR9203PL1,LQ-DG
Opis:
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=170W F=1MHZ
Podroben opis:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Zaloga:
19467 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12964777
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPHR9203PL1,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSIX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
150A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
0.92mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
7540 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOP Advance (5x5.75)
Paket / Primer
8-PowerTDFN
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
264-TPHR9203PL1LQCT
264-TPHR9203PL1LQTR
TPHR9203PL1,LQ(M
264-TPHR9203PL1LQDKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIHG22N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 22A TO247AC
PJP18N20_T0_00001
TO-220AB, MOSFET
2N7002K_R1_00001
SOT-23, MOSFET
