Številka izdelka proizvajalca:
TPN11006NL,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN11006NL,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON
Podroben opis:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
10188 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891605
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN11006NL,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
11.4mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2000 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700mW (Ta), 30W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN11006
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN11006NLLQDKR
TPN11006NLLQTR
TPN11006NL,LQ(S
TPN11006NLLQCT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
2SK4017(Q)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2
DMN3026LVTQ-7
MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
DMN3016LFDF-7
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
