Številka izdelka proizvajalca:
TPN1600ANH,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN1600ANH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Podroben opis:
N-Channel 100 V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
1395 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890201
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN1600ANH,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
16mOhm @ 8.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1600 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN1600
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN1600ANHL1QCT
TPN1600ANH,L1Q(M
TPN1600ANHL1QDKR
TPN1600ANHL1QTR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SSM3J117TU,LF
MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM
TPWR8004PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
SSM3K09FU,LF
MOSFET N-CH 30V 400MA USM
