Številka izdelka proizvajalca:
TPN22006NH,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN22006NH,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 9A 8TSON
Podroben opis:
N-Channel 60 V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Zaloga:
2900 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890482
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN22006NH,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
22mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
710 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700mW (Ta), 18W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN22006
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN22006NHLQDKR
TPN22006NHLQCT
TPN22006NHLQTR
TPN22006NH,LQ(S
TPN22006NHLQ
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPC8125,LQ(S
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
SSM3K2615R,LF
MOSFET N-CH 60V 2A SOT23F
TPCA8102(TE12L,Q,M
MOSFET P-CH 30V 40A 8SOP
