Številka izdelka proizvajalca:
TPN2R203NC,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN2R203NC,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 45A 8TSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 45A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
5468 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890740
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN2R203NC,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
45A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.2mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 500µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2230 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN2R203
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN2R203NCL1QDKR
TPN2R203NC,L1QTR-DG
TPN2R203NCL1QCT
TPN2R203NC,L1QCT
TPN2R203NCL1QTR
TPN2R203NC,L1Q(M
TPN2R203NC,L1QCT-DG
TPN2R203NC,L1QDKR-DG
TPN2R203NC,L1QTR
TPN2R203NC,L1QDKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK31E60W,S1VX
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220
TK14A45DA(STA4,QM)
MOSFET N-CH 450V 13.5A TO220SIS
TPH3R704PL,L1Q
MOSFET N-CH 40V 92A 8SOP