Številka izdelka proizvajalca:
TPN2R304PL,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN2R304PL,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Podroben opis:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
39427 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890290
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN2R304PL,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSIX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 300µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3600 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
630mW (Ta), 104W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN2R304
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN2R304PLL1QTR
TPN2R304PLL1QCT
TPN2R304PL,L1Q(M
TPN2R304PLL1QDKR
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPC8036-H(TE12L,QM
MOSFET N-CH 30V 18A 8SOP
TPCF8B01(TE85L,F,M
MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
TPCA8A04-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP
