Številka izdelka proizvajalca:
TPN3R704PL,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN3R704PL,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Podroben opis:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 86W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
34211 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12891188
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN3R704PL,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSIX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
40 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
80A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.7mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.4V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2500 pF @ 20 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
630mW (Ta), 86W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN3R704
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN3R704PLL1QDKR
TPN3R704PLL1QTR
TPN3R704PLL1QCT
TPN3R704PL,L1Q(M
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK750A60F,S4X
MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS
TK32A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 32A TO220SIS
2SK2962(T6CANO,F,M
MOSFET N-CH TO92MOD