Številka izdelka proizvajalca:
TPN6R003NL,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN6R003NL,LQ-DG
Opis:
MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Podroben opis:
N-Channel 30 V 27A (Tc) 700mW (Ta), 32W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
2966 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890565
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN6R003NL,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
27A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6mOhm @ 13.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1400 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700mW (Ta), 32W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN6R003
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN6R003NLLQTR
TPN6R003NLLQDKR
TPN6R003NL,LQ(S
TPN6R003NLLQCT
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK8A65D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 650V 8A TO220SIS
TK11A60D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS
TK31A60W,S4VX
MOSFET N-CH 600V 30.8A TO220SIS
