Številka izdelka proizvajalca:
TPN7R506NH,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN7R506NH,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Podroben opis:
N-Channel 60 V 26A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
4880 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890256
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN7R506NH,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
26A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.5mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 200µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1800 pF @ 30 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN7R506
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN7R506NHL1QCT
TPN7R506NHL1QTR
TPN7R506NHL1QDKR
TPN7R506NH,L1Q(M
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPCA8018-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 30A 8SOP
TK16V60W,LVQ
MOSFET N-CH 600V 15.8A 4DFN
TK8P60W,RVQ
MOSFET N CH 600V 8A DPAK
