Številka izdelka proizvajalca:
TPN8R903NL,LQ
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPN8R903NL,LQ-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 20A 8TSON
Podroben opis:
N-Channel 30 V 20A (Tc) 700mW (Ta), 22W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Zaloga:
5561 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890374
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPN8R903NL,LQ Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 100µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
9.8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
820 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
700mW (Ta), 22W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Paket / Primer
8-PowerVDFN
Osnovna številka izdelka
TPN8R903
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPN8R903NLLQCT
TPN8R903NLLQTR
TPN8R903NLLQDKR
TPN8R903NL,LQ(S
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK35E08N1,S1X
MOSFET N-CH 80V 55A TO220
TPC8021-H(TE12LQ,M
MOSFET N-CH 30V 11A 8SOP
TPCA8012-H(TE12LQM
MOSFET N-CH 30V 40A 8SOP
