Številka izdelka proizvajalca:
TPWR6003PL,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPWR6003PL,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Podroben opis:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Zaloga:
10386 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12920996
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPWR6003PL,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSIX-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
150A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
0.6mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.1V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10000 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Delovna temperatura
175°C
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-DSOP Advance
Paket / Primer
8-PowerWDFN
Osnovna številka izdelka
TPWR6003
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
264-TPWR6003PLL1QTR
264-TPWR6003PLL1QCT
264-TPWR6003PLL1QDKR
TPWR6003PL,L1Q(M
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TK110A10PL,S4X
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
SQ3410EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
FDPF12N50T
MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
