Številka izdelka proizvajalca:
TPWR8503NL,L1Q
Product Overview
Proizvajalec:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Številka dela:
TPWR8503NL,L1Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP
Podroben opis:
N-Channel 30 V 150A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DSOP Advance
Zaloga:
4927 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12890308
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPWR8503NL,L1Q Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
U-MOSVIII-H
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
150A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
0.85mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.3V @ 1mA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
6900 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
800mW (Ta), 142W (Tc)
Delovna temperatura
150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-DSOP Advance
Paket / Primer
8-PowerWDFN
Osnovna številka izdelka
TPWR8503
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
TPWR8503NLL1QTR
TPWR8503NLL1QDKR
TPWR8503NL,L1Q(M
TPWR8503NLL1QCT
Standardni paket
5,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TPC6011(TE85L,F,M)
MOSFET N-CH 30V 6A VS-6
2SJ377(TE16R1,NQ)
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
TK4P60DB(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 600V 3.7A DPAK