Številka izdelka proizvajalca:
TP65H050G4BS
Product Overview
Proizvajalec:
Transphorm
DiGi Electronics Številka dela:
TP65H050G4BS-DG
Opis:
650 V 34 A GAN FET
Podroben opis:
N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-263
Zaloga:
329 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
13001027
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TP65H050G4BS Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Transphorm
Pakiranje
Tube
Serije
SuperGaN®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
34A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
60mOhm @ 22A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4.8V @ 700µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1000 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
119W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
TP65H050
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
1707-TP65H050G4BS
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
G08N06S
MOSFET N-CH 60V 5A SOP-8
GT095N10D5
N100V,RD(MAX)<11M@10V,RD(MAX)<15
BUK4D38-20PX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
