TPH3208LS

Številka izdelka proizvajalca:

TPH3208LS

Product Overview

Proizvajalec:

Transphorm

DiGi Electronics Številka dela:

TPH3208LS-DG

Opis:

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Podroben opis:

N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu

13446375

Zahtevaj ponudbo

Količina
Minimun 1

(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah

POŠTITE

TPH3208LS Tehnične specifikacije

Kategorija

FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i

Proizvajalec

Transphorm

Pakiranje

-

Serije

-

Stanje izdelka

Obsolete

Vrsta FET

N-Channel

Tehnologija

GaNFET (Gallium Nitride)

Odtok do napetosti vira (vdss)

650 V

Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C

20A (Tc)

Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)

10V

RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs

130mOhm @ 13A, 8V

vgs(th) (maks) @ id

2.6V @ 300µA

Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs

14 nC @ 8 V

Vgs (maks)

±18V

Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds

760 pF @ 400 V

Funkcija FET

-

Odvajanje moči (maks.)

96W (Tc)

Delovna temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vrsta montaže

Surface Mount

Paket naprav dobavitelja

3-PQFN (8x8)

Paket / Primer

3-PowerDFN

Dodatne informacije

Standardni paket

60

Okoljska in izvozna klasifikacija

Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)

3 (168 Hours)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA

TPH3208LDG

PROIZVAJALEC

Transphorm

KOLIČINA NA VOLJO

20

ŠTEVILKA DELA

TPH3208LDG-DG

CENA ENOTE

8.70

VRSTA NADOMESTILA

Parametric Equivalent

DIGI Certifikat

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Sorodni izdelki

transphorm

TPH3205WSBQA

GANFET N-CH 650V 35A TO247-3

transphorm

TPH3202PD

GANFET N-CH 600V 9A TO220AB

transphorm

TPH3206LDB

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

transphorm

TPH3208LSG

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN