Številka izdelka proizvajalca:
TPH3208PS
Product Overview
Proizvajalec:
Transphorm
DiGi Electronics Številka dela:
TPH3208PS-DG
Opis:
GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
13447137
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
TPH3208PS Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Transphorm
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
130mOhm @ 13A, 8V
vgs(th) (maks) @ id
2.6V @ 300µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (maks)
±18V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
760 pF @ 400 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
96W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
TPH3208
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
RH6P030BG
TRANS MOSFET N-CH SMD
NVBG020N120SC1
MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
