Številka izdelka proizvajalca:
FB180SA10
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DiGi Electronics Številka dela:
FB180SA10-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227
Podroben opis:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 480W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Zaloga:
12843939
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
FB180SA10 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Pakiranje
-
Serije
HEXFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
180A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
6.5mOhm @ 108A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
380 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
10700 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
480W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Chassis Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-227
Paket / Primer
SOT-227-4, miniBLOC
Osnovna številka izdelka
FB180
Dodatne informacije
Druga imena
VS-FB180SA10-DG
VS-FB180SA10
VSFB180SA10-DG
*FB180SA10
VSFB180SA10
Standardni paket
10
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NDP4060L
MOSFET N-CH 60V 15A TO220-3
AONR21117
MOSFET P-CH 20V 26.5A/34A 8DFN
NVMFS6B03NLT1G
MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN