Številka izdelka proizvajalca:
2N7002-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
2N7002-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Podroben opis:
N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236
Zaloga:
6531 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12880498
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
2N7002-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
115mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
50 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
200mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-236
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
2N7002
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
2N7002-T1-GE3TR
2N7002-T1-GE3DKR
2N7002-T1-GE3CT
2N7002-T1-GE3-DG
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
STL19N60DM2
MOSFET N-CH 600V 11A PWRFLAT HV
STFI10N65K3
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP
STD80N3LL
MOSFET N-CH 30V 80A DPAK
