IRF510STRLPBF
Številka izdelka proizvajalca:

IRF510STRLPBF

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

IRF510STRLPBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Zaloga:

330 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12908862
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRF510STRLPBF Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
180 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
43W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF510

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
IRF510STRLPBFDKR
IRF510STRLPBFCT
IRF510STRLPBFTR
IRF510STRLPBF-DG
Standardni paket
800

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFBC40LCS

MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK

vishay-siliconix

IRFP460BPBF

MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC

vishay-siliconix

IRF9610S

MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK

vishay-siliconix

IRLZ14STRR

MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK