IRF510STRR
Številka izdelka proizvajalca:

IRF510STRR

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

IRF510STRR-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Zaloga:

12893418
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRF510STRR Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
540mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
180 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF510

Dodatne informacije

Standardni paket
800

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
IRF510STRRPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
1558
ŠTEVILKA DELA
IRF510STRRPBF-DG
CENA ENOTE
0.51
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRF840LCSTRRPBF

MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB

diodes

DMP3007SFG-7

MOSFET P-CH 30V 70A POWERDI3333

vishay-siliconix

IRC830PBF

MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220-5

vishay-siliconix

IRFBC30A

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB