Številka izdelka proizvajalca:
IRF520STRL
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRF520STRL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12908371
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF520STRL Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9.2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
270mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
360 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF520
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SIHF520STRL-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
SIHF520STRL-GE3-DG
CENA ENOTE
0.33
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
SIHF520STRR-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
SIHF520STRR-GE3-DG
CENA ENOTE
0.33
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR24N10D
MOSFET N-CH 100V DPAK
IRF634NPBF
MOSFET N-CH 250V 8A TO220AB
IRF840LCSPBF
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
