Številka izdelka proizvajalca:
IRF530PBF-BE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRF530PBF-BE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 88W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
847 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12975146
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF530PBF-BE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
160mOhm @ 8.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
670 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
88W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRF530
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
742-IRF530PBF-BE3
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
DI080N06PQ-AQ
MOSFET POWERQFN 5X6 N 65V 105A 0
NVH4L015N065SC1
SIC MOS TO247-4L 650V
APT30M61SLLG/TR
MOSFET N-CH 300V 54A D3PAK
