Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
IRF640STRR
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRF640STRR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12843234
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF640STRR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
18A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1300 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 130W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF640
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
IRF640S(L)/SIHF640S(L)
HTML tehnični list
IRF640STRR-DG
Tehnični listi
IRF640STRR
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FQB19N20TM
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
2296
ŠTEVILKA DELA
FQB19N20TM-DG
CENA ENOTE
0.87
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
FQB19N20LTM
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
FQB19N20LTM-DG
CENA ENOTE
0.67
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RCJ160N20TL
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
1000
ŠTEVILKA DELA
RCJ160N20TL-DG
CENA ENOTE
0.68
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRF640STRRPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
761
ŠTEVILKA DELA
IRF640STRRPBF-DG
CENA ENOTE
1.23
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
STB19NF20
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
STB19NF20-DG
CENA ENOTE
0.62
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NVMS5P02R2G
MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
BSP316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
NDP6020P
MOSFET P-CH 20V 24A TO220-3
NVMYS1D3N04CTWG
TRENCH 6 40V SL NFET