Številka izdelka proizvajalca:
IRF710STRLPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRF710STRLPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 400 V 2A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
15 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12909280
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF710STRLPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
400 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
170 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF710
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRF710STRLPBFTR
IRF710STRLPBF-DG
IRF710STRLPBFDKR
IRF710STRLPBFCT
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFU9310PBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
IRF9Z34SPBF
MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
IRLZ24L
MOSFET N-CH 60V 17A TO262-3
