IRF740APBF
Številka izdelka proizvajalca:

IRF740APBF

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

IRF740APBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 400 V 10A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB

Zaloga:

1039 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12905544
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRF740APBF Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
400 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
550mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1030 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRF740

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi

Dodatne informacije

Druga imena
*IRF740APBF
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFB9N30APBF

MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB

diodes

ZXMN6A07FTC

MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

diodes

ZXMN3F30FHTA

MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3

diodes

ZVP1320A

MOSFET P-CH 200V 70MA TO92-3