Številka izdelka proizvajalca:
IRF840LCSTRR
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRF840LCSTRR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12867151
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF840LCSTRR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
500 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF840
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
IRF840LCSTRRPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
0
ŠTEVILKA DELA
IRF840LCSTRRPBF-DG
CENA ENOTE
1.23
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
ŠTEVILO DELA
STB11NK50ZT4
PROIZVAJALEC
STMicroelectronics
KOLIČINA NA VOLJO
872
ŠTEVILKA DELA
STB11NK50ZT4-DG
CENA ENOTE
1.34
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRF640PBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
IRFI9Z24G
MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220-3
IRFPG30PBF
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
