Številka izdelka proizvajalca:
IRF9Z24S
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRF9Z24S-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK
Podroben opis:
P-Channel 60 V 11A (Tc) 3.7W (Ta), 60W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12908504
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRF9Z24S Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
280mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
570 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.7W (Ta), 60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRF9
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
*IRF9Z24S
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SPB18P06PGATMA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
2030
ŠTEVILKA DELA
SPB18P06PGATMA1-DG
CENA ENOTE
0.44
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRF9Z24SPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
3763
ŠTEVILKA DELA
IRF9Z24SPBF-DG
CENA ENOTE
0.73
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR9024TRL
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
IRFZ20PBF
MOSFET N-CH 50V 15A TO220AB
IRFR220PBF
MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
