IRFB9N65APBF
Številka izdelka proizvajalca:

IRFB9N65APBF

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

IRFB9N65APBF-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 650 V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB

Zaloga:

912 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12911779
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRFB9N65APBF Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
650 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
930mOhm @ 5.1A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1417 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
167W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRFB9

Tehnični list in dokumenti

HTML tehnični list
IRFB9N65APBF-DG
Tehnični listi
IRFB9N65APBF
Podatkovni listi
IRFB9N65A, SiHFB9N65A Packaging Information

Dodatne informacije

Druga imena
*IRFB9N65APBF
Standardni paket
50

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFP264

MOSFET N-CH 250V 38A TO247-3

vishay-siliconix

IRF644PBF

MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB

vishay-siliconix

IRF9620PBF

MOSFET P-CH 200V 3.5A TO220AB

vishay-siliconix

IRFIZ44G

MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3