IRFBC30STRR
Številka izdelka proizvajalca:

IRFBC30STRR

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

IRFBC30STRR-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 600 V 3.6A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Zaloga:

Povpraševanje po cenah na spletu
12959466
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

IRFBC30STRR Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2.2Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
660 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRFBC30

Dodatne informacije

Standardni paket
800

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternativni modeli

ŠTEVILO DELA
IRFBC30STRLPBF
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
52
ŠTEVILKA DELA
IRFBC30STRLPBF-DG
CENA ENOTE
1.29
VRSTA NADOMESTILA
Parametric Equivalent
DIGI Certifikat
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFR210TRR

MOSFET N-CH 200V 2.6A DPAK

vishay-siliconix

SI1431DH-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 1.7A SC70-6

vishay-siliconix

IRF630S

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

vishay-siliconix

SI7450DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8