Številka izdelka proizvajalca:
IRFBG30PBF
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRFBG30PBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 1000 V 3.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
4495 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12852836
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFBG30PBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
1000 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5Ohm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
980 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
125W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRFBG30
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
*IRFBG30PBF
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFI630GPBF
MOSFET N-CH 200V 5.9A TO220-3
IRF7726TR
MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8
IPP80N06S208AKSA2
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
