Številka izdelka proizvajalca:
IRFI614GPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRFI614GPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 250V 2.1A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 250 V 2.1A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
12881607
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFI614GPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
250 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
2Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
140 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
23W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovna številka izdelka
IRFI614
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
*IRFI614GPBF
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FQPF3N25
PROIZVAJALEC
Fairchild Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
204011
ŠTEVILKA DELA
FQPF3N25-DG
CENA ENOTE
0.40
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
IRFI4229PBF
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
411
ŠTEVILKA DELA
IRFI4229PBF-DG
CENA ENOTE
1.90
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFI730GPBF
MOSFET N-CH 400V 3.7A TO220-3
IRFPC50LCPBF
MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
STS9NF30L
MOSFET N-CH 30V 9A 8SO