Številka izdelka proizvajalca:
IRFIB6N60APBF
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRFIB6N60APBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Podroben opis:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220-3
Zaloga:
900 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12910034
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFIB6N60APBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
600 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.5A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
750mOhm @ 3.3A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1400 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220-3
Paket / Primer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Osnovna številka izdelka
IRFIB6
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
*IRFIB6N60APBF
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRLZ44STRR
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRFIB8N50K
MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220-3
IRFU420PBF
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO251AA
