Številka izdelka proizvajalca:
IRFSL31N20DTRR
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRFSL31N20DTRR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 31A I2PAK
Podroben opis:
N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole I2PAK
Zaloga:
12912439
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFSL31N20DTRR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
31A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
82mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
5.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±30V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2370 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 200W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
I2PAK
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IRFSL31
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
FQI27N25TU
PROIZVAJALEC
Fairchild Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
600
ŠTEVILKA DELA
FQI27N25TU-DG
CENA ENOTE
1.48
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI5857DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
SI1443EDH-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 4A SOT-363
IRL640STRRPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
