Številka izdelka proizvajalca:
IRFZ14L
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRFZ14L-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 10A TO262-3
Podroben opis:
N-Channel 60 V 10A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Through Hole TO-262-3
Zaloga:
12905478
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFZ14L Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
200mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
300 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-262-3
Paket / Primer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Osnovna številka izdelka
IRFZ14
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
*IRFZ14L
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFD120PBF
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP
ZXMN2A02N8TA
MOSFET N-CH 20V 8.3A 8SO
IXFN44N80
MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B