Številka izdelka proizvajalca:
IRFZ48RSPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRFZ48RSPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 50A TO263
Podroben opis:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
7785 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12915532
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRFZ48RSPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
50A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
18mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2400 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
190W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRFZ48
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
*IRFZ48RSPBF
Standardni paket
1,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI7370DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
SIHD186N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 19A DPAK
IXTU50N085T
MOSFET N-CH 85V 50A TO251
