Številka izdelka proizvajalca:
IRL2203STRR
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRL2203STRR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 30 V 100A (Tc) 3.8W (Ta), 130W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12912482
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRL2203STRR Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Discontinued at Digi-Key
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
100A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
7mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.5V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3500 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.8W (Ta), 130W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRL2203
Tehnični list in dokumenti
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
RoHS non-compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRLR024TRPBF
MOSFET N-CH 60V 14A DPAK
SI2341DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23-3
SI2319DS-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
