Številka izdelka proizvajalca:
IRL510STRLPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRL510STRLPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 100 V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
800 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12912174
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRL510STRLPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
5.6A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
540mOhm @ 3.4A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6.1 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
250 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRL510
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRL510STRLPBF-DG
IRL510STRLPBFCT
IRL510STRLPBFTR
IRL510STRLPBFDKR
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IXFK60N55Q2
MOSFET N-CH 550V 60A TO264AA
IRFR9014NTRL
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
SI7368DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
