Številka izdelka proizvajalca:
IRL630STRLPBF
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRL630STRLPBF-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Podroben opis:
N-Channel 200 V 9A (Tc) 3.1W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Zaloga:
12913102
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRL630STRLPBF Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
200 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
9A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4V, 5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
400mOhm @ 5.4A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
1100 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3.1W (Ta), 74W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
TO-263 (D2PAK)
Paket / Primer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Osnovna številka izdelka
IRL630
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
IRL630STRLPBFTR
IRL630STRLPBFDKR
IRL630STRLPBFCT
IRL630STRLPBF-DG
Standardni paket
800
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RCJ120N20TL
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
33
ŠTEVILKA DELA
RCJ120N20TL-DG
CENA ENOTE
0.44
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI4858DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
SI4866DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
SI7315DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
