Številka izdelka proizvajalca:
IRLZ24PBF-BE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
IRLZ24PBF-BE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 17A TO220AB
Podroben opis:
N-Channel 60 V 17A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Zaloga:
841 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12954266
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
IRLZ24PBF-BE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tube
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
60 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
17A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
100mOhm @ 10A, 5V
vgs(th) (maks) @ id
2V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (maks)
±10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
870 pF @ 25 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
60W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vrsta montaže
Through Hole
Paket naprav dobavitelja
TO-220AB
Paket / Primer
TO-220-3
Osnovna številka izdelka
IRLZ24
Dodatne informacije
Druga imena
742-IRLZ24PBF-BE3
Standardni paket
50
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
G2R1000MT17J
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
SD213DE TO-72 4L
HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO
SI7317DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
