Številka izdelka proizvajalca:
SI1039X-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI1039X-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V 870MA SC89-6
Podroben opis:
P-Channel 12 V 870mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
Zaloga:
12914807
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI1039X-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
12 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
870mA (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
165mOhm @ 870mA, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
450mV @ 250µA (Min)
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±8V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
170mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SC-89 (SOT-563F)
Paket / Primer
SOT-563, SOT-666
Osnovna številka izdelka
SI1039
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI1039X-T1-E3TR
SI1039XT1E3
SI1039X-T1-E3CT
SI1039X-T1-E3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR9310TRRPBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
SI2316BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 4.5A SOT23-3
SIA417DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 12A PPAK SC70-6
