SI2324DS-T1-GE3
Številka izdelka proizvajalca:

SI2324DS-T1-GE3

Product Overview

Proizvajalec:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Številka dela:

SI2324DS-T1-GE3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Zaloga:

47703 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12912550
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE

SI2324DS-T1-GE3 Tehnične specifikacije

Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
234mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.9V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
190 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
SI2324

Tehnični list in dokumenti

Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi

Dodatne informacije

Druga imena
SI2324DS-T1-GE3DKR
SI2324DS-T1-GE3CT
SI2324DS-T1-GE3TR
SI2324DS-T1-GE3-DG
Standardni paket
3,000

Okoljska in izvozna klasifikacija

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
vishay-siliconix

IRFI734GPBF

MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220-3

vishay-siliconix

IRFZ34STRLPBF

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

vishay-siliconix

IRFZ10

MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB

vishay-siliconix

IRFU320

MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA