Številka izdelka proizvajalca:
SI2324DS-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI2324DS-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT23-3
Podroben opis:
N-Channel 100 V 2.3A (Tc) 1.25W (Ta), 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Zaloga:
47703 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12912550
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI2324DS-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
234mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.9V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
190 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
SI2324
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
HTML tehnični list
Tehnični listi
Dodatne informacije
Druga imena
SI2324DS-T1-GE3DKR
SI2324DS-T1-GE3CT
SI2324DS-T1-GE3TR
SI2324DS-T1-GE3-DG
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFI734GPBF
MOSFET N-CH 450V 3.4A TO220-3
IRFZ34STRLPBF
MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
IRFZ10
MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
