Številka izdelka proizvajalca:
SI2343DS-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI2343DS-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3
Podroben opis:
P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Zaloga:
23148 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12917698
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI2343DS-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
3.1A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
53mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
540 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
750mW (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
SOT-23-3 (TO-236)
Paket / Primer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Osnovna številka izdelka
SI2343
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI2343DS-T1-E3CT
Q6936817FM
SI2343DS-T1-E3TR
SI2343DST1E3
SI2343DS-T1-E3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
PMPB20EN,115
MOSFET N-CH 30V 7.2A DFN2020MD-6
SIA462DJ-T4-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A/12A PPAK
SI5445BDC-T1-E3
MOSFET P-CH 8V 5.2A 1206-8
