Številka izdelka proizvajalca:
SI3437DV-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI3437DV-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Podroben opis:
P-Channel 150 V 1.4A (Tc) 2W (Ta), 3.2W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Zaloga:
15122 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12916185
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI3437DV-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
P-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
150 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
1.4A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
6V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
510 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2W (Ta), 3.2W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
6-TSOP
Paket / Primer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Osnovna številka izdelka
SI3437
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI3437DV-T1-E3DKR
SI3437DV-T1-E3CT
SI3437DV-T1-E3TR
SI3437DVT1E3
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI7113ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 10.8A PPAK
SI7380ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
SIR170DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 100V 23.2A/95A PPAK
