Številka izdelka proizvajalca:
SI3460BDV-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI3460BDV-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Podroben opis:
N-Channel 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 3.5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Zaloga:
6561 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12959687
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI3460BDV-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
1.8V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
27mOhm @ 5.1A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 8 V
Vgs (maks)
±8V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
860 pF @ 10 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2W (Ta), 3.5W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
6-TSOP
Paket / Primer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Osnovna številka izdelka
SI3460
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI3460BDVT1E3
SI3460BDV-T1-E3CT
SI3460BDV-T1-E3TR
SI3460BDV-T1-E3DKR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI8410DB-T2-E1
MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT
SI2337DS-T1-E3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
SI4062DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 32.1A 8SO
