Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
Francija
Španija
Turčija
Moldavija
Litva
Norveška
Nemčija
Portugalska
Slovaška
ltaly
Finska
Ruščina
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Srbija
Belorusija
Nizozemska
Švedska
Črna gora
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Romunija
Avstrija
Belgija
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
DR Kongo
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Angola
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Argentina
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SI3586DV-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI3586DV-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 20V 2.9A 6TSOP
Podroben opis:
Mosfet Array 20V 2.9A, 2.1A 830mW Surface Mount 6-TSOP
Zaloga:
Povpraševanje po cenah na spletu
12916919
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI3586DV-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
N and P-Channel
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
20V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
2.9A, 2.1A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
60mOhm @ 3.4A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
1.1V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
-
Moč - največja
830mW
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket naprav dobavitelja
6-TSOP
Osnovna številka izdelka
SI3586
Dodatne informacije
Druga imena
SI3586DV-T1-E3DKR
SI3586DV-T1-E3CT
SI3586DVT1E3
SI3586DV-T1-E3TR
Standardni paket
3,000
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SI3585CDV-T1-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
13694
ŠTEVILKA DELA
SI3585CDV-T1-GE3-DG
CENA ENOTE
0.14
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
FDC6420C
PROIZVAJALEC
onsemi
KOLIČINA NA VOLJO
1
ŠTEVILKA DELA
FDC6420C-DG
CENA ENOTE
0.19
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
AO6604
PROIZVAJALEC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
KOLIČINA NA VOLJO
165405
ŠTEVILKA DELA
AO6604-DG
CENA ENOTE
0.14
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
BSL215CH6327XTSA1
PROIZVAJALEC
Infineon Technologies
KOLIČINA NA VOLJO
23807
ŠTEVILKA DELA
BSL215CH6327XTSA1-DG
CENA ENOTE
0.17
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI7940DP-T1-E3
MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO8
SIZ728DT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 25V 16A 6PWRPAIR
SI7222DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
SI5904DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8