Številka izdelka proizvajalca:
SI4056DY-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI4056DY-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 11.1A 8SO
Podroben opis:
N-Channel 100 V 11.1A (Tc) 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
4842 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12917537
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI4056DY-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
11.1A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
23mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.8V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
900 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
SI4056
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI4056DYT1GE3
SI4056DY-T1-GE3TR
SI4056DY-T1-GE3CT
SI4056DY-T1-GE3DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
BUK6E2R3-40C,127
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
PMT280ENEAX
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
SI2300DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
