Številka izdelka proizvajalca:
SI4058DY-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI4058DY-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 10.3A 8SOIC
Podroben opis:
N-Channel 100 V 10.3A (Tc) 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12918412
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI4058DY-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
-
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
100 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
10.3A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
26mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
2.8V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
690 pF @ 50 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
5.6W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
SI4058
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
Dodatne informacije
Druga imena
SI4058DY-T1-GE3DKR
SI4058DY-T1-GE3TR
SI4058DY-T1-GE3-DG
SI4058DY-T1-GE3CT
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RS3L045GNGZETB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
1173
ŠTEVILKA DELA
RS3L045GNGZETB-DG
CENA ENOTE
0.25
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS1G300GNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
16767
ŠTEVILKA DELA
RS1G300GNTB-DG
CENA ENOTE
0.82
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
NTB90N02T4
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
SI7322ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
SI5441BDC-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8
