Številka izdelka proizvajalca:
SI4108DY-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI4108DY-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Podroben opis:
N-Channel 75 V 20.5A (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12914377
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI4108DY-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
-
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
75 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
20.5A (Tc)
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
9.8mOhm @ 13.8A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
2100 pF @ 38 V
Funkcija FET
-
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
SI4108
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI4108DY-T1-GE3CT
SI4108DYT1GE3
SI4108DY-T1-GE3TR
SI4108DY-T1-GE3DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
DMT6010LSS-13
PROIZVAJALEC
Diodes Incorporated
KOLIČINA NA VOLJO
5713
ŠTEVILKA DELA
DMT6010LSS-13-DG
CENA ENOTE
0.46
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
IRFR9210TRR
MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK
SI4636DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
IRLU014PBF
MOSFET N-CH 60V 7.7A TO251AA
