Številka izdelka proizvajalca:
SI4228DY-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI4228DY-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC
Podroben opis:
Mosfet Array 25V 8A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
3765 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12918133
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI4228DY-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, FET, MOSFET nizi
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracijo
2 N-Channel (Dual)
Funkcija FET
Logic Level Gate
Odtok do napetosti vira (vdss)
25V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
8A
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
18mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
1.4V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
25nC @ 10V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
790pF @ 12.5V
Moč - največja
3.1W
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Osnovna številka izdelka
SI4228
Tehnični list in dokumenti
Dodatne informacije
Druga imena
SI4228DY-T1-GE3CT
SI4228DYT1GE3
SI4228DY-T1-GE3TR
SI4228DY-T1-GE3DKR
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SI5903DC-T1-E3
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
SI4501BDY-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
SI5944DU-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET