Domov
Izdelki
Proizvajalci
O DiGi
Kontaktirajte nas
Blogi in objave
Povpraševanje/Offer
Slovenia
Prijavite se
Izbira jezika
Trenutni jezik vašega izbora:
Slovenia
Preklopi:
Angleščina
Evropa
Velika Britanija
DR Kongo
Argentina
Turčija
Romunija
Litva
Norveška
Avstrija
Angola
Slovaška
ltaly
Finska
Belorusija
Bolgarija
Danska
Estonija
Poljska
Ukrajina
Slovenija
Češčina
Grščina
Hrvaška
Izrael
Črna gora
Ruščina
Belgija
Švedska
Srbija
Baskovščina
Islandija
Bosna
Madžarščina
Moldavija
Nemčija
Nizozemska
Irska
Azija / Pacifik
Kitajska
Vietnam
Indonezija
Tajska
Laos
Filipinščina
Malezija
Koreja
Japonska
Hongkong
Tajvan
Singapur
Pakistan
Saudska Arabija
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmar
Afrika, Indija in Bližnji vzhod
Združeni arabski emirati
Tadžikistan
Madagaskar
Indija
Iran
Francija
Južna Afrika
Egipt
Kenija
Tanzanija
Gana
Senegal
Maroko
Tunizija
Južna Amerika / Oceanija
Nova Zelandija
Portugalska
Brazilija
Mozambik
Peru
Kolumbija
Čile
Venezuela
Ekvador
Bolivija
Urugvaj
Španija
Paragvaj
Avstralija
Severna Amerika
Združene države Amerike
Haiti
Kanada
Kostarika
Mehika
O DiGi
O nas
O nas
Naše certifikate
DiGi Uvod
Zakaj DiGi
Politika
Politika kakovosti
Pogoji uporabe
Skladnost z direktivo RoHS
Postopek vračila
Viri
Kategorije izdelkov
Proizvajalci
Blogi in objave
Storitve
Garancija kakovosti
Način Plačila
Globalna pošiljka
Cene pošiljanja
Pogosta vprašanja
Številka izdelka proizvajalca:
SI4842BDY-T1-E3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI4842BDY-T1-E3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Podroben opis:
N-Channel 30 V 28A (Tc) 3W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
2491 Kosi Nova Originalna Na Zalogi
12919023
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
*
Podjetje
*
Ime kontaktne osebe
*
Telefon
*
E-pošta
Naslov za dostavo
Sporočilo
(
*
) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI4842BDY-T1-E3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
Tape & Reel (TR)
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Active
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
30 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
28A (Tc)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
4.5V, 10V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (maks) @ id
3V @ 250µA
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (maks)
±20V
Vhodna kapacitivnost (Ciss) (Max) @ vds
3650 pF @ 15 V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
3W (Ta), 6.25W (Tc)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
SI4842
Tehnični list in dokumenti
Podatkovni listi
SI4842BDY
Dodatne informacije
Druga imena
SI4842BDYT1E3
SI4842BDY-T1-E3DKR
SI4842BDY-T1-E3TR
SI4842BDY-T1-E3CT
SI4842BDY-T1-E3-DG
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
RS3E095BNGZETB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
2500
ŠTEVILKA DELA
RS3E095BNGZETB-DG
CENA ENOTE
0.29
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS3E075ATTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
10581
ŠTEVILKA DELA
RS3E075ATTB-DG
CENA ENOTE
0.26
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
FDS6670A
PROIZVAJALEC
Fairchild Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
2525
ŠTEVILKA DELA
FDS6670A-DG
CENA ENOTE
0.36
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RS1E240BNTB
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
2500
ŠTEVILKA DELA
RS1E240BNTB-DG
CENA ENOTE
0.22
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
ŠTEVILO DELA
RXH070N03TB1
PROIZVAJALEC
Rohm Semiconductor
KOLIČINA NA VOLJO
2498
ŠTEVILKA DELA
RXH070N03TB1-DG
CENA ENOTE
0.32
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SIHB6N65E-GE3
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
SI6433BDQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 4A 8TSSOP
SIHW70N60EF-GE3
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
SI4396DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO