Številka izdelka proizvajalca:
SI4876DY-T1-GE3
Product Overview
Proizvajalec:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Številka dela:
SI4876DY-T1-GE3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
Podroben opis:
N-Channel 20 V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Zaloga:
12965815
Zahtevaj ponudbo
Količina
Minimun 1
Minimun 1
(*) je obvezno
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
Naši odgovor boste prejeli v 24 urah
POŠTITE
SI4876DY-T1-GE3 Tehnične specifikacije
Kategorija
FET-i, MOSFET-i, Enojni FET-i, MOSFET-i
Proizvajalec
Vishay
Pakiranje
-
Serije
TrenchFET®
Stanje izdelka
Obsolete
Vrsta FET
N-Channel
Tehnologija
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do napetosti vira (vdss)
20 V
Tok - neprekinjeno odvajanje (id) @ 25 °C
14A (Ta)
Pogonska napetost (največ Rds vklopljeno, Min Rds vklopljeno)
2.5V, 4.5V
RDS vklopljeno (maks.) @ id, vgs
5mOhm @ 21A, 4.5V
vgs(th) (maks) @ id
600mV @ 250µA (Min)
Polnjenje vrat (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 4.5 V
Vgs (maks)
±12V
Funkcija FET
-
Odvajanje moči (maks.)
1.6W (Ta)
Delovna temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vrsta montaže
Surface Mount
Paket naprav dobavitelja
8-SOIC
Paket / Primer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Osnovna številka izdelka
SI4876
Dodatne informacije
Standardni paket
2,500
Okoljska in izvozna klasifikacija
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Stopnja občutljivosti na vlago (MSL)
1 (Unlimited)
Stanje uredbe REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternativni modeli
ŠTEVILO DELA
SI4186DY-T1-GE3
PROIZVAJALEC
Vishay Siliconix
KOLIČINA NA VOLJO
4214
ŠTEVILKA DELA
SI4186DY-T1-GE3-DG
CENA ENOTE
0.40
VRSTA NADOMESTILA
MFR Recommended
DIGI Certifikat
Sorodni izdelki
SQJ431AEP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 9.4A PPAK SO-8
SI3443CDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 5.97A 6TSOP
SIHF640S-GE3
MOSFET N-CH 200V 18A D2PAK
